[2]低次元磁性

(2−1) Spin-1/2 Heisenberg 一次元鎖

 

・・・   ´    ´・・・

 

  1. ´>0(強磁性的)
    • 基底状態は強磁性(ただし一次元最近接系なので=0)
    • VBなし
    • χは低温に向かって単調増大

      G. A. Baker et al.: Phys. Rev. A 135 (1964) 1272.
      Y. Nakazawa et al.: Phys. Rev. B 46 (1992) 8906. の中の
      γ-p-NPNNの解析と文献も参照
  2. < 0 <´(´--> ∞ で Haldane 系)
    ´< 0(Alternating antiferromagnetic Heisenberg chain=AAHC)
    • のところにVB(入り方はuniqueに決まる)
    • 基底状態は非磁性singlet
    • その上の励起状態(triplet-like)との間にギャップ
    • χは丸いピークを持って、-->0でχ-->0(ギャップ
    • =0で、は有限のから急に立ち上がる(ギャップ
    • Spin Peierls 系の基底状態もこれと同じ

      ´< 0の場合(AAHC)の磁化率の数値fitting

        J. W. Hall et al.: Inorg. Chem. 20 (1981) 1033.

        比熱・磁化率の理論計算などは、

        W. Duffy, Jr. and K. P. Barr: Phys. Rev. 165 (1968) 647.
        J. C. Bonner et al.: Phys. Rev. B 27 (1983) 248.
         
  3. ´<0(Uniform Heisenberg Chain)・・・特異点
    いわゆるBonner-Fisher
    • 基底状態はスピンが縮んだNeel(反強磁性=0)
      • これはスピンを全部反転した状態と二重縮退
    • VBの入り方は2通り(非直交)が縮退(uniqueでない)
      • 1つに決めると並進対称性が破れる
      • スピン液体というそうです(Cf. RVB)
    • ギャップなしスピン波近似OK
    • スピン相関は距離のベキで減衰
    • χは丸いピークを持って、-->0でχ>0(gapless
    • =0で、=0からlinearに立ち上がる(gapless
    • Bethe-Hulthenによる厳密解がある
      • 基底エネルギー: E=[1+2 (2 ln 2-1)] NJ / 2
      • 励起エネルギー:ΔE=−π|sin| (スピン波)
    • 磁化率の数値fitting
        W.E. Hatfield et al.: Inorg. Chem. 19 (1980) 3825.
        の定義が分母分子逆)
        極大値の計算は筆者


(2−2)Haldane系とVBS(Valence Bond Solid

Haldane's conjecture

「一次元Heisenbergスピン鎖の基底状態は、

  • =1/2, 3/2, ... (半奇数)のときgapless、
  • =0, 1, 2...(整数)のとき、縮退なしでgapの下」

(=0の場合は自明)

 

なにゆえstrikingだったか?

「 古典的な理論からすると、が整数か否かで

系の基底状態の性質が定性的に異なるのが信じ難い」

=半奇数のとき、スピン波理論がよい近似

=整数のとき、スピン波理論は破綻

Haldane基底状態の理解(厳密証明はまだ)

 

次のVBS(Valence bond solid)状態がよい近似

 

)は、VB両端が=0になるように
量子的に揺らいでいる(ゼロ点振動)・・・下図

 

 

 

基底状態の別の表現(隠れた秩序

=1と−1が交互に並んだ状態に
適当に=0を挟んだもの
(これを称して乱れているという)」

 

ちょっと考えればわかるが、の配列として、

1,1とか1,0,1とか-1,-1とか-1,0,0,-1は、

 VBS配列を破壊している

(これもスピン液体というそうです)

スピン相関

VBS基底状態からの励起

有限Haldane鎖の特徴(疑似四重縮重

反強磁性スピン相関は短距離で減衰
--> 両端のVBSに参加しないスピンはほとんど無相関

両端の2スピンについて、
S=1(三重縮重)とS=0とがほとんど縮重

 

要するに、ほとんど常磁性


(2−3)Haldane系の仲間

 

  1. 一次元系
    • <0<´(´--> ∞ で Haldane系) と
      ´<0(Alternating antiferromag. Heis. chain)
    • いずれも非磁性一重項基底状態の上に gap
    • ´< ∞で、相転移はない(´がferroだろうとantiferroだろうと...
    • 熱力学的には同じ性質
    • 励起状態の波数依存性が異なる(励起三重項をつくる場所の問題)
    • VBSが一意的につくれる系

  2. 有限系
    • 端がない系=非磁性分子
    • 端がある系 --> 疑似四重縮重を示す系(量子効果の効き具合)

  3. 二次元以上
    • 一意的なVBSの構成可能性(トポロジー条件):
      スピン量子数の2倍2が、最近接数の整数倍かどうか?
      例)=3/2の蜂の巣格子(グラファイト型),=2の正方格子,
      ダイアモンド格子、etc.
      (ポリエチレンもダイアモンドも原子間距離が長ければ...)
    • だが、高次元になるとスピン相関が伸びる --> 磁気秩序の可能性

  4. Spin Ladder(偶数本鎖)

補足: Spin ladderの磁性(基底状態) 

           

  1. , ´>0・・・基底状態は強磁性(自明)

  2. , ´<0
    • 偶数本(2-leg ladder etc.):spin gap あり
    • 奇数本(3-leg ladder etc.):spin gap なし

  3. ´<0<
    • leg1本は古典スピン的 --> Neel反強磁性?
    • =0 の一次元鎖 -----> 非磁性 with spin gap?
      • Heisenbergスピンでは実際には後者(非磁性
      • Ising的にするとNeel, XY的にするとKT

  4. <0<´
    • Haldaneからの類推:
      • 偶数本(2-leg ladder etc.):spin gap あり
      • 奇数本(3-leg ladder etc.):spin gap なし
    • ところが、VBSの作り方は一意的でない
      (RVBかVBSか直観的には判断に困る)
      (が、たぶん、どちらも並進対称性を破らないので)
    • Heisenbergスピンでは、偶数本で Haldane-like な非磁性
      • 強くIsing的にするとNeel,
      • XY的にするとKTを経てFerroへ

結局、偶数本鎖の Heisenberg spin ladderは、

, ´>0以外では、非磁性量子一重項基底状態


(2−4)二次元系

二次元Heisenberg強磁性体

 

二次元Heisenberg反強磁性体=1/2)(高温超伝導の母体)


(2−5)三次元

メタ磁性=「反強磁性-->磁場誘起強磁性」の転移を示すもの
鎖内/層内が強磁性で、鎖間/層間の弱い反強磁性的
相互作用のせいで全体が反強磁性になっているとき
外部磁場のZeemanエネルギーが
反強磁性的相互作用に勝てば、強磁性になる
Spin Flop との違い
  • Spin flopでは、一次相転移でスピンがまだ磁場に対して
    傾いた状態になる
  • メタ磁性では、一次相転移でスピンがいきなり磁場方向に
    向いた状態になる


(2−6)Flustration(低次元に限った話ではないが)

量子スピンの立場から注意

少なくとも有限系では

 

低次元系のまとめ

  1. 揺らぎが大きい(なかなか磁気秩序を示さない)
  2. 量子効果が強い(最近接数が少ない)
  3. 非磁性基底状態になるか否かはVBのトポロジーで決まる
  4. 反強磁性がnon-uniformに入ると、VBSができて
    ゼロ次元に持っていかれる(かえって次元性を下げる)



([2]の終わり)

Tamura's Home Page

目次

[1]

[4]

参考文献

(2−1)

(2−2)

(2−3)

(2−4)

(2−5)

(2−6)



[3]強相関系の磁性

(3−1)Hubbard modelとHeisenberg model

3-1-1. 2-site Hubbard model(水素分子の模型)

   

  • : transfer積分(Huckelの共鳴積分と同内容)
  • U: on-site Coulomb反発

 

演算子の公式(c, c:fermion演算子)

  • c|0>=±|1>
  • c|1>=0
  • c  |0>=0 
  • c |1>=±|0>

複号: 左に電子が偶数個なら+、奇数個なら−

 

反交換関係:

  • cc=−c c,
  • c c =−c c
  • c c=δj kc c

: 数演算子

c c

 

行列要素の計算

  

 

 

 

 

   はそのまま=0の固有状態

 

  残りの の対角化

 

 

==> 

 

  1. 基底状態(一重項・結合性):
  2. 三重項状態(非結合性)
     :=0 
  3. イオン化状態(一重項)   :
  4. 反結合性的状態(一重項) :

 

基底一重項 --> 三重項への励起エネルギー

    

 

 これを交換相互作用と見なして、2と書く(kinetic exchange)

 ( なしでも出てくるものはpotential exchangeという)

===> 低エネルギー部分は、Heisenberg model に帰着

 

が大きくなると、基底一重項が不安定化

一般に、電子相関が強くなると
イオン化配置が不安定化(電荷自由度減少)
--> 基底一重項の安定化への寄与減少
--> 磁性(スピン自由度)が出やすくなる

 

電荷揺らぎ(自由度) vs. スピン揺らぎ(自由度)・・・互いに拮抗


3-1-2. - model

以下、強相関(>> )とする

 

基底状態付近・・・2=4/U のHeisenberg modelで記述

(スピン自由度のみ考慮)

 

一般に、>> のHubbard model (1/2-filled)は、

=4/U Heisenberg model に帰着

ホールの占有数を制限

  次の変換で、スピン演算子をつくる

 

 

t-J model)

  • 第1項: 電荷自由度
  • 第2項: スピン自由度
  • δ:占有数制限(half-filledでδ=0)

 さらに、

 

  •  第2項: VBのエネルギー(見かけ上はVBの一体問題)
  •   (b, b :singlet VBの生成・消滅演算子)

 

これも t-J model(スピン自由度はVBの形成・切断で表現)


3-1-3. 寄り道:VBのもつ対称性

局所gauge不変性: b, b不変

   -----> 局所量子位相θjの任意性=局所粒子数保存

“ベクトルポテンシャル”(磁気;運動量)と
“スカラーポテンシャル”(電気;座標)の任意性

 

Gauge変換

 

  • 粒子の遍歴 --> 位相を揃える
  • 粒子の局在 --> 数を保つ

 

・・・ 化学結合(b, b)の物理的本性でもある

 

HamiltonianのTransfer項も局所gauge不変となるには、

jk --> jk exp[ i(θk−θi )]

ベクトルポテンシャルがあれば、jkjk exp[ iea A ki ]

 

局所gauge不変条件から、
      

つまり電子を、

に分解

分解したまま( が別々に励起できる)なら、
スピン-電荷分離(Luttinger liquidなど)

 

スピン-電荷分離と分子の問題については後述


(3−2) 有限Hubbard模型

・・・ Lieb定理

あるいは Longuet-Higgins予想

Lieb-Mattis定理

 

 

   前提: bipartiteな格子で、最近接相互作用のみ考える

bipartite とは

A,B2つの副格子に分割できて、

Aの最近接は全部B、

かつ、Bの最近接は全部A

=“交互炭化水素”・・・オルト-パラとか...(偶数員環)

         

=|*付原子数−*なし原子数|/2

基底状態のはそれぞれいくつ?

トポロジカル条件

定理の主張

後述の分子磁性のトポロジカル規則の基礎

 

無限系への外挿(要注意!簡単な話ではない!)

S=0基底状態がそのまま無限系の
非磁性状態になるとは限らない

エネルギーギャップが有限にとどまるか?

例えば、

偶数員環のような圧倒的安定一重項になるか、

両端のあるHaldane系のような

ほとんど常磁性に近い一重項になるか、

は、議論を先に進めないとわからない。


(3−3) RVB

      反例:gap がゼロに向かう場合(Bonner-Fisher)

    

 

共鳴のメカニズム

1)スピンの量子性(交換量子トンネル)

1−2−3系で、1-2間 =1/2 VB状態

を作用させると、

       

  • 第1項:2-3間VB
  • 第2項:1-2間三重項

つまり、1-2間VBが壊されて、
2-3間VBができる (VBが動いた)

*注意: 電荷自由度なしでもRVBはあり得る

 

2)電子の遍歴性(half-filledでない場合)

ホールとVBが互いに動く(分離もする)

      

 

--> VBの切断エネルギー〜(とすればspin gap)

--> 超伝導機構に関係がある?とかないとか...

 

は、VBを動かすという点では似ているという話

だが、1)と2)ではかなり性質が違うそうである

([3]の終わり)

Tamura's Home Page

目次

[1]

[2]

[4]

参考文献

(3−1)

(3−2)

(3−3)

〒274 船橋市三山2-2-1 東邦大学 理学部 物理学科
Phone : 0474-72-6988, F A X : 0474-75-1855
                                     田村 雅史
 
tamura@ph.sci.toho-u.ac.jp